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 Al–Ge-paste-induced liquid phase epitaxy of Si-rich SiGe(111) for epitaxial Co-based Heusler alloys 用于外延Co基Heusler合金的富Si SiGe（111）的Al-Ge糊诱导液相外延
相关领域
材料科学
外延
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光电子学
化学工程
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物理
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化学
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：M. Yamada; Shota Suzuki; Ai I. Osaka; K. Sumi; Takahiro Inoue; et al 出版日期：2024-02-21 |
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