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  Stability of Al2O3 and Al2O3/a-SiNx:H stacks for surface passivation of crystalline silicon 用于晶体硅表面钝化的Al2O3和Al2O3/a-SiNx：H堆叠的稳定性
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：G. Dingemans; P. Engelhart; R. Seguin; F. Einsele; Bram Hoex; et al 出版日期：2009-12-01 |
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