| 标题 |
Polarization Properties in GaN Double-Channel HEMTs at Mid-Infrared Frequencies GaN双沟道HEMT在中红外频率下的偏振特性
相关领域
材料科学
光电子学
等离子体子
红外线的
极化(电化学)
高电子迁移率晶体管
栅栏
场效应晶体管
晶体管
光学
电压
物理
化学
量子力学
物理化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Plasmonics 作者:Runxian Xing; Hongyang Guo; Guohao Yu; Jiaan Zhou; Yang An; et al 出版日期:2023-09-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|