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 Achieving high efficiency 253 nm micro-LED by multiple nano AlN insertion layers for applications in charge management and optical communication 通过多个纳米AlN插入层实现高效253 nm微LED，用于电荷管理和光通信
相关领域
材料科学
光电子学
纳米-
电荷（物理）
纳米技术
插入损耗
光通信
工程物理
复合材料
物理
量子力学
工程类
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| 其它 |
期刊：Nano Energy 作者：Zhihao Zhang; Yuning Gu; Xuyang Liu; Yuandong Ruan; Daqi Shen; et al 出版日期：2024-12-20 |
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