A general model for interface-trap charge-pumping effects in MOS devices

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标题	A general model for interface-trap charge-pumping effects in MOS devices
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038110185...
DOI	10.1016/0038-1101(85)90194-7 doi
其它	期刊：Solid-state Electronics 作者：U. Çilingiroğlu 出版日期：1985-11-01
求助人	rxh 在 2026-09-20 21:36:26 发布自湖北，悬赏 10 积分
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