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标题
A Double-Sided 650 V GaN Power Device Using Flexible Buffers with Low Parasitic Inductance
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网址
https://doi.org/10.1109/pedg56097.2023.10215139
DOI
10.1109/pedg56097.2023.10215139 doi
其它 期刊：
作者：Siqi Liu; Longnv Li; Yunhui Mei
出版日期：2023-06-09
求助人
木染 在 2026-02-03 10:48:43 发布自中国香港，悬赏 10 积分
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    木染 木染 Lv12 求助人 发起了本次求助

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