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 Modeling negative and positive temperature dependence of the gate leakage current in GaN high‐electron mobility transistors GaN高电子迁移率晶体管栅极漏电流的正负温度依赖性建模
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晶体管
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期刊：ETRI Journal 作者：Ling‐Feng Mao 出版日期：2022-01-12 |
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