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标题
Polarization‐Graded High‐Electron‐Mobility Transistors for Improved Johnson's Figure of Merit
用于改进Johnson品质因数的偏振分级高电子迁移率晶体管
相关领域
功勋 电子 晶体管 极化（电化学） 材料科学 电子迁移率 光电子学 物理 化学 核物理学 量子力学 电压 物理化学
网址
https://doi.org/10.1002/pssa.202300923
DOI
10.1002/pssa.202300923 doi
其它 期刊：physica status solidi (a)
作者：Nivedhita Venkatesan; Gerardo Silva‐Oelker; Wesley Turner; Jeong‐Sun Moon; Patrick Fay
出版日期：2024-05-21
求助人
香蕉觅云 在 2025-12-05 19:26:36 发布自河南，悬赏 10 积分
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