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Role of mechanical stress localizations on the radiation hardness of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 机械应力局部化对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管辐射硬度的影响
相关领域
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期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:Nahid Sultan Al‐Mamun; Md Abu Jafar Rasel; Zahabul Islam; Marian Tzolov; Christopher M. Smyth; et al 出版日期:2024-10-25 |
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