| 标题 |
Write‐enhanced and radiation‐hardened SRAM for multi‐node upset tolerance in space‐radiation environments 空间辐射环境中多节点扰动容限的写增强和辐射加固SRAM
相关领域
静态随机存取存储器
心烦意乱
晶体管
辐射
费用分摊
数据保留
单事件翻转
节点(物理)
计算机科学
辐射硬化
存储单元
软错误
物理
光电子学
电气工程
电压
电子工程
计算机硬件
工程类
数学
光学
统计
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:International Journal of Circuit Theory and Applications 作者:Qiang Zhao; Hanwen Dong; Chunyu Peng; Wenjuan Lu; Zhiting Lin; et al 出版日期:2022-08-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)