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 Homoepitaxial growth rate measurement and surface morphology monitoring of MOVPE-grown Si-doped (1 0 0) β-Ga2O3 thin films using in-situ reflectance spectroscopy 用原位反射光谱测量MOVPE生长的掺硅（1 0 0）β-Ga2O3薄膜的同质外延生长速率和表面形貌
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