| 标题 |
 First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3D Integration with Dual Workfunction Gate for Ultra Low-power SRAM and RF Applications 面向超低功耗SRAM和RF应用的异构IGZO/Si CFET单片3D集成双功函数门首次演示
相关领域
材料科学
静态随机存取存储器
光电子学
蚀刻（微加工）
钝化
CMOS芯片
晶体管
金属浇口
泄漏（经济）
反应离子刻蚀
MOSFET
硅
电气工程
电压
电子工程
图层（电子）
纳米技术
栅氧化层
工程类
经济
宏观经济学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：S. W. Chang; Ta-Ping Lu; Chenyi Yang; Chia-Nan Yeh; Min-Wei Huang; et al 出版日期：2021-12-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
方非笑
gjww
敬老院1号
shinysparrow
个性的紫菜
benben
CharlotteBlue
张泽崇
llllliuuu
寻道图强
maox1aoxin
SOLOMON
倩迷谜
友好冷之
寻寻觅觅呢
pcr163
newfat
紫金大萝卜
凤凰
zzz4743
皖公网安备34019202002308
