Atomic Layer Deposition of Disordered p‐Type SnO Using a Heteroleptic Tin(II) Precursor: Influence of Disorder on P‐Channel SnO Thin‐Film Transistor Characteristics

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标题	Atomic Layer Deposition of Disordered p‐Type SnO Using a Heteroleptic Tin(II) Precursor: Influence of Disorder on P‐Channel SnO Thin‐Film Transistor Characteristics
网址	https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/ael...
DOI	10.1002/aelm.202500853 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Benjamin J. Peek; Kham Man Niang; Benjamin McMitchell; Heath Bagshaw; Karl Dawson; et al 出版日期：2026-04-20
求助人	17 在 2026-08-19 20:34:23 发布自福建，悬赏 20 积分
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