2.3 kV Field-Plated Vertical Ga2O3 Schottky Rectifiers and 1 a Forward Current with 650 V Reverse Breakdown Ga2O3 Field-Plated Schottky Barrier Diodes

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标题	2.3 kV Field-Plated Vertical Ga2O3 Schottky Rectifiers and 1 a Forward Current with 650 V Reverse Breakdown Ga2O3 Field-Plated Schottky Barrier Diodes
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8424808/8442143/08442188...
DOI	10.1109/drc.2018.8442188 doi
其它	期刊：2018 76th Device Research Conference (DRC) 作者：Jiancheng Yang; Fan Ren; Marko Tadjer; Steve J. Pearton; Akita Kuramata 出版日期：2018-09-08
求助人	王泽在 2026-08-19 16:51:00 发布自上海，悬赏 10 积分
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