| 标题 |
 An Atomically Resolved Schottky Barrier Height Approach for Bridging the Gap between Theory and Experiment at Metal–Semiconductor Heterojunctions 相关领域
异质结
桥接（联网）
肖特基势垒
材料科学
半导体
肖特基二极管
凝聚态物理
金属
工程物理
光电子学
纳米技术
二极管
物理
工程类
冶金
计算机科学
计算机网络
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：V. Sorkin; Hangbo Zhou; Zhi Gen Yu; Kah‐Wee Ang; Yong‐Wei Zhang 出版日期：2024-04-22 |
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