Heteroepitaxial Growth of Ga2O3 by MOCVD on a, m, r, and cPlanes of Sapphire

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标题	专利、报告等 Heteroepitaxial Growth of Ga2O3 by MOCVD on a, m, r, and cPlanes of Sapphire 相关领域蓝宝石金属有机气相外延成核材料科学外延化学气相沉积透射电子显微镜基质（水族馆）光电子学亚稳态衍射增长率电子衍射结晶学薄膜晶体生长表面能相（物质）岛屿生长光学沉积（地质）扫描电子显微镜纳米技术
网址	https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5c00183.s001
DOI	10.1021/acs.cgd.5c00183.s001 doi
其它	期刊：作者：出版日期：2025-07-30
求助人	Lixunpeng001 在 2026-08-27 09:42:04 发布自江苏，悬赏 10 积分
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