Epitaxial growth of relaxed germanium layers by reduced pressure chemical vapour deposition on (110) and (111) silicon substrates

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标题	Epitaxial growth of relaxed germanium layers by reduced pressure chemical vapour deposition on (110) and (111) silicon substrates
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S004060901...
DOI	10.1016/j.tsf.2011.10.099 doi
其它	期刊：Thin Solid Films 作者：V. Nguyen; A. Dobbie; M. Myronov; D. Norris; T. Walther; et al 出版日期：2012-02-01
求助人	lululemon 在 2026-08-28 12:03:07 发布自美国，悬赏 10 积分
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