A Novel 4H‐SiC MOSFET With High‐K/Low‐K Dielectric for Improved Frequency Characteristics

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标题	[高分] A Novel 4H‐SiC MOSFET With High‐K/Low‐K Dielectric for Improved Frequency Characteristics
网址	https://doi.org/10.1049/pel2.70033
DOI	10.1049/pel2.70033 doi
其它	期刊：IET Power Electronics 作者：Jiaxing Chen; Juntao Li; Lin Zhang 出版日期：2025
求助人	笑点低从凝在 2026-04-13 16:25:03 发布自陕西，悬赏 100 积分
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