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 β -Ga2O3 Schottky barrier diodes with 4.1 MV/cm field strength by deep plasma etching field-termination 相关领域
蚀刻（微加工）
肖特基势垒
光电子学
二极管
肖特基二极管
材料科学
GSM演进的增强数据速率
干法蚀刻
领域（数学）
等离子体刻蚀
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数学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Sushovan Dhara; Nidhin Kurian Kalarickal; Ashok Dheenan; Chandan Joishi; Siddharth Rajan 出版日期：2022-11-14 |
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