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Sub-0.5 nm Interfacial Dielectric Enables Superior Electrostatics: 65 mV/dec Top-Gated Carbon Nanotube FETs at 15 nm Gate Length |
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期刊:2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:G. Pitner; Z. Zhang; Q. Lin; S.-K Su; C. Gilardi; et al 出版日期:2020 |
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