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[求助补充材料]
 Suppression of interfacial layers in ZrO 2 /TiN capacitors by atomic layer deposition using ligand-engineered Zr precursors for scalable DRAM 相关领域
材料科学
德拉姆
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金属
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期刊：Materials Horizons 作者：Hyeongjun Kim; Juan Hong; Sangyeon Jeong; Kyunghun Lyu; Seungmin Jo; et al 出版日期：2025-12-10 |
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