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[求助补充材料]
Suppression of interfacial layers in ZrO 2 /TiN capacitors by atomic layer deposition using ligand-engineered Zr precursors for scalable DRAM 相关领域
材料科学
德拉姆
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电容
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氧化锡
金属
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期刊:Materials Horizons 作者:Hyeongjun Kim; Juan Hong; Sangyeon Jeong; Kyunghun Lyu; Seungmin Jo; et al 出版日期:2025-12-10 |
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