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 NV centers in3C,4H, and6Hsilicon carbide: A variable platform for solid-state qubits and nanosensors 3C、4H和6H碳化硅中的NV中心：固态量子位和纳米传感器的可变平台
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期刊：Physical review. B./Physical review. B 作者：H. J. von Bardeleben; J. L. Cantin; András Csо́rе́; Ádám Gali; E. Rauls; et al 出版日期：2016-09-26 |
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