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 The influence of Al composition in AlGaN barrier layer on polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 相关领域
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期刊：Physica E-low-dimensional Systems & Nanostructures 作者：Guangyuan Jiang; Yuanjie Lv; Zhaojun Lin; Yongxiong Yang; Yang Liu 出版日期：2021-03-01 |
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