An AlN/AlxGa1-xN/GaN graded channel HEMT with enhanced power and linearity performance

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标题	An AlN/AlxGa1-xN/GaN graded channel HEMT with enhanced power and linearity performance 具有增强功率和线性性能的AlN/AlxGa1-xN/GaN梯度沟道HEMT 相关领域高电子迁移率晶体管跨导互调线性材料科学光电子学功率密度电压功勋击穿电压电气工程功率（物理）晶体管物理放大器工程类量子力学 CMOS芯片
网址	https://doi.org/10.1063/5.0245073
DOI	10.1063/5.0245073 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiang Du; Minhan Mi; Pengfei Wang; M. Lu; Yuwei Zhou; et al 出版日期：2025-02-17
求助人	没头脑在 2025-10-13 19:24:19 发布自山东，悬赏 10 积分
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