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 An AlN/AlxGa1-xN/GaN graded channel HEMT with enhanced power and linearity performance 具有增强功率和线性性能的AlN/AlxGa1-xN/GaN梯度沟道HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管
跨导
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材料科学
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晶体管
物理
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CMOS芯片
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiang Du; Minhan Mi; Pengfei Wang; M. Lu; Yuwei Zhou; et al 出版日期：2025-02-17 |
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