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 Investigation of the cross-sectional morphology of epitaxial Si nanowires grown by chemical vapor deposition for the fabrication of vertical devices 用于制造垂直器件的化学气相沉积外延Si纳米线的截面形貌研究
相关领域
纳米线
材料科学
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期刊：Materials Science and Engineering: B 作者：I-Ta Wang; Ting-Ran Liu; Yu-Ling Liu; Cheng-Yu Chen; Chen Chang; et al 出版日期：2022 |
| 求助人 |
RomanYoung
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