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 Charge ordering at a dielectric gate in itinerant metallic states with low-field memristor properties in VO2 thin films VO2薄膜中具有低场忆阻特性的巡回金属态介质栅极电荷有序
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期刊：Surfaces and Interfaces 作者：Prasanta Kumar Ojha; R.K. Sharma; Shrawan Mishra; S. Ram 出版日期：2023-09-26 |
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