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 Controllable regulation of diamond nucleation and growth on GaN substrates through pulse bias duty ratio 利用脉冲偏置占空比可控调节GaN衬底上金刚石的形核和生长
相关领域
成核
占空比
钻石
材料科学
光电子学
脉搏（音乐）
光学
复合材料
热力学
物理
功率（物理）
探测器
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期刊：Vacuum 作者：Rui Xia; Bing Zhou; Hui Sun; Zhubo Liu; Shengwang Yu 出版日期：2024-05-01 |
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