Depth profiling of strain and carrier concentration by cleaved surface scanning of GaN Gunn-diode: confocal Raman microscopy

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标题	Depth profiling of strain and carrier concentration by cleaved surface scanning of GaN Gunn-diode: confocal Raman microscopy
网址	http://stacks.iop.org/0268-1242/28/i=10/a=105011/pdf
DOI	10.1088/0268-1242/28/10/105011 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：A. Belyaev; V. Strelchuk; A. Nikolenko; A. Romanyuk; Y. Mazur; et al 出版日期：2013-10-01
求助人	李喵喵在 2026-08-11 20:58:17 发布自安徽，悬赏 10 积分
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