Implementation of an electrically modifiable artificial synapse based on ferroelectric field-effect transistors using Al-doped HfO2 thin films

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标题	Implementation of an electrically modifiable artificial synapse based on ferroelectric field-effect transistors using Al-doped HfO2 thin films
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2020/NR/D0NR02401E
DOI	10.1039/d0nr02401e doi
其它	期刊：Nanoscale 作者：So-Jung Yoon; Seung Eon Moon; Sung-Min Yoon 出版日期：2020-07-02
求助人	kai 在 2026-08-29 16:52:44 发布自湖南，悬赏 10 积分
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