| 标题 |
Creating vacancies in Ti3C2Tx MXene to enable inherent semiconductivity and electrical switching capabilities 在Ti3C2Tx MXene中创建空位以实现固有的半导体和电开关能力
相关领域
MXenes公司
材料科学
插层(化学)
瓶颈
纳米片
剥脱关节
纳米技术
光电子学
金属
极化(电化学)
工程物理
领域(数学)
科技与社会
电接点
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)