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  Enhanced field-effect mobility (>250 cm2/V·s) in GaN MOSFETs with deposited gate oxides via mist CVD 通过雾化CVD沉积栅极氧化物的GaN MOSFET中增强的场效应迁移率（>250cm2/V·s）
相关领域
雾
材料科学
光电子学
电子迁移率
场效应
阈值电压
MOSFET
栅极电压
栅氧化层
化学气相沉积
分析化学（期刊）
电压
化学
电气工程
晶体管
物理
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期刊：Applied Physics Express 作者：Kazuki Ikeyama; Hidemoto Tomita; Sayaka Harada; Takashi Okawa; Li Liu; et al 出版日期：2024-05-17 |
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