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A new look at an explanation of band gap of PECVD grown a-Si:H thin films using absorption spectra, spectroscopic ellipsometry, Raman, and FTIR spectrosopy 用吸收光谱、椭圆偏振光谱、拉曼光谱和FTIR光谱解释PECVD生长的a-Si:H薄膜的带隙
相关领域
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期刊:Optical Materials 作者:Chandra Bhal Singh; Sekhar Bhattacharya; Soni Prayogi; Uday Singh Patel; P. Balaji Bhargav; et al 出版日期:2024-07-14 |
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