Growth of low resistivity p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using a novel crucible structure

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标题	Growth of low resistivity p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using a novel crucible structure 相关领域坩埚（大地测量学）电阻率和电导率材料科学化学矿物学分析化学（期刊）冶金环境化学物理计算化学量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2025.114557
DOI	10.1016/j.vacuum.2025.114557 doi
其它	期刊：Vacuum 作者：Wenhao Han; Guanglei Zhong; Xuejian Xie; Xiufang Chen; Wancheng Yu; et al 出版日期：2025-07-05
求助人	loyuanhao 在 2026-01-14 19:33:09 发布自美国，悬赏 10 积分
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