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标题
Cap-layer engineering in AlGaN/GaN HEMTs with AlN buffer for enhanced breakdown and Johnson Figure of Merit
网址
DOI
10.1016/j.mseb.2026.119223 doi
其它 期刊:Materials Science and Engineering: B
作者:Ellapu Bhanu Prakash; Anil Prasad Dadi; Vijay Maitra; Tathagata Ghose; Ashok Ray; Sushanta Bordoloi
出版日期:2026-01-22
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什锦八宝粥 在 2026-02-04 21:22:35 发布自福建,悬赏 10 积分
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