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标题
Gate Switching Instability of SiC MOSFETs under Simultaneously High Drain-Source Voltage and High Frequency Acceleration
相关领域
加速度 MOSFET 材料科学 光电子学 负偏压温度不稳定性 电气工程 不稳定性 电压 电子工程 工程物理 物理 工程类 晶体管 机械 经典力学
网址
https://doi.org/10.1109/ispsd59661.2024.10579621
DOI
10.1109/ispsd59661.2024.10579621 doi
其它 期刊：
作者：Sven Thiele; Clemens Herrmann; Dezhi Yang; Matthias Neumeister; Thomas Basler
出版日期：2024-06-02
求助人
Rex 在 2025-11-22 18:31:07 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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