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标题
Role of impact ionization and self-consistent tunnel injection in Schottky-barrier diodes operating under strong reverse-bias conditions
冲击电离和自洽隧道注入在强反向偏置肖特基势垒二极管中的作用
相关领域
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网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/acb9d4
DOI
10.35848/1882-0786/acb9d4 doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：T. González; B. Orfao; S. Pérez; J. Mateos; B. G. Vasallo
出版日期：2023-02-01
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Messi 在 2025-12-04 14:00:07 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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