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Author Correction: Numerical simulation analysis of carbon defects in the buffer on vertical leakage and breakdown of GaN on silicon epitaxial layers 作者更正:缓冲器中碳缺陷对硅外延层上GaN垂直泄漏击穿的数值模拟分析
相关领域
外延
泄漏(经济)
缓冲器(光纤)
硅
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宏观经济学
经济
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期刊:Scientific Reports 作者:Weicheng Cao; Chunyan Song; Hui Liao; Ning-Xuan Yang; Rui Wang; et al 出版日期:2024-04-23 |
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