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Analyzing the Contact-Doping Effect in In₂O₃ FETs: Unveiling the Mechanisms Behind the Threshold-Voltage Roll-Off in Oxide Semiconductor Transistors 相关领域
兴奋剂
材料科学
光电子学
晶体管
半导体
场效应晶体管
电压
阈值电压
电气工程
工程类
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Jian-Yu Lin; Chang Niu; Zehao Lin; Sumi Lee; Tae-Hyun Kim; et al 出版日期:2025-05-07 |
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(2025-6-4)