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标题
Nonvolatile Floating‐Gate Memories Based on Stacked Black Phosphorus–Boron Nitride–MoS2 Heterostructures
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DOI
10.1002/adfm.201503645 doi
其它 期刊:Advanced Functional Materials
作者:Dong Li; Xiaojuan Wang; Qichong Zhang; Liping Zou; Xiangfan Xu; et al
出版日期:2015-11-05
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