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 Gate-Current-Dominated Positive Threshold Voltage Shift Under PBTI Stress in Schottky p-GaN Gate HEMTs 相关领域
材料科学
光电子学
阈值电压
压力（语言学）
肖特基二极管
宽禁带半导体
电压
电气工程
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肖特基势垒
金属半导体结
高电子迁移率晶体管
电子工程
氮化镓
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Myeongsu Chae; Hyungtak Kim 出版日期：2026-08-26 |
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