Uniformity improvement of thickness and net donor concentration in halide vapor phase epitaxial β-Ga2O3 wafers prepared on miscut angle substrates

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标题	Uniformity improvement of thickness and net donor concentration in halide vapor phase epitaxial β-Ga2O3 wafers prepared on miscut angle substrates
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/acb4fb
DOI	10.35848/1347-4065/acb4fb doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Chia-Hung Lin; Kentaro Ema; Satoshi Masuya; Quang Tu Thieu; Ryoichi Sakaguchi; et al 出版日期：2023
求助人	liu 在 2026-03-04 19:18:57 发布自湖北，悬赏 10 积分
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