Trapping Effect in AlN/GaN/AlGaN High‐Electron‐Mobility Transistors Revealed by Tristate Pulse IV Technique

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标题	Trapping Effect in AlN/GaN/AlGaN High‐Electron‐Mobility Transistors Revealed by Tristate Pulse IV Technique
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.202500034
DOI	10.1002/pssa.202500034 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Yihao Zhuang; Kumud Ranjan; Qingyun Xie; Hanlin Xie; Hanchao Li; et al 出版日期：2025
求助人	赖飞阳在 2026-03-08 00:27:37 发布自天津，悬赏 10 积分
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