Dynamic Reliability of IC-Interface GaN HEMTs Demonstrated Under Ultra-Fast (ns), High-Frequency (MHz) Gate Overvoltage Stress $(> 30\mathrm{V})$

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标题	Dynamic Reliability of IC-Interface GaN HEMTs Demonstrated Under Ultra-Fast (ns), High-Frequency (MHz) Gate Overvoltage Stress $(> 30\mathrm{V})$
网址	https://doi.org/10.23919/ISPSD62843.2025.11117449
DOI	10.23919/ISPSD62843.2025.11117449 doi
其它	期刊：2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Bixuan Wang; Xin Yang; Qihao Song; Kalparupa Mukherjee; Loizos Efthymiou; et al 出版日期：2025
求助人	stop here 在 2026-04-09 15:45:52 发布自湖南，悬赏 10 积分
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