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Mask absorber impact on local MEEF for pitch 32 nm hexagonal contact hole printing with low-n EUV masks 掩模吸收剂对低n EUV掩模间距32 nm六边形接触孔印刷的局部MEEF的影响
相关领域
极紫外光刻
六方晶系
材料科学
光学
光电子学
平版印刷术
接触印刷品
物理
化学
结晶学
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期刊: 作者:Andreas Frommhold; Vicky Philipsen 出版日期:2025-07-21 |
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(2025-6-4)