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 An ion-gating synaptic memristor based on tri-layer HfOx composition regulation 基于三层HfOx成分调节的离子门控突触忆阻器
相关领域
材料科学
门控
记忆电阻器
离子
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Lanqing Zou; Jun Zhang; Yunhui Yi; Jiawang Ren; Huajun Sun; et al 出版日期：2025-01-01 |
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