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 Observation of interfacial strain relaxation and electron beam damage thresholds in Al0.3In0.7N/GaN heterostructures by transmission electron microscopy Al0.3In 0.7 N/GaN异质结构界面应变弛豫和电子束损伤阈值的透射电镜观察
相关领域
材料科学
分子束外延
异质结
透射电子显微镜
铟
光电子学
晶格常数
扫描透射电子显微镜
外延
凝聚态物理
衍射
光学
纳米技术
图层（电子）
物理
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Keisuke Motoki; Zachary Engel; Christopher M. Matthews; Habib Ahmad; Timothy M. McCrone; et al 出版日期：2022-09-01 |
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