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 Flexible memory device based on polymer ferroelectric with zinc oxide single-nanowire transistors for robust multilevel operation 用于鲁棒多电平操作的基于具有氧化锌单纳米线晶体管的聚合物铁电体的柔性存储器件
相关领域
材料科学
铁电性
纳米线
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晶体管
非易失性存储器
电容
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场效应晶体管
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Young Tea Chun; Jiyoul Lee; Daping Chu 出版日期：2021-11-15 |
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