A Light-Emitting Diode Based on AlInGaN Heterostructures Grown on SiC/Si Substrates and Its Fabrication Technology

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标题	A Light-Emitting Diode Based on AlInGaN Heterostructures Grown on SiC/Si Substrates and Its Fabrication Technology SiC/Si衬底上AlInGaN异质结构发光二极管及其制备技术相关领域材料科学光电子学制作异质结二极管发光二极管替代医学病理医学
网址	https://doi.org/10.1134/s1063785022020043
DOI	10.1134/s1063785022020043 doi
其它	期刊：Technical Physics Letters 作者：L. K. Markov; С. А. Кукушкін; I. P. Smirnova; A. S. Pavlyuchenko; А. С. Гращенко; et al 出版日期：2022-02-01
求助人	lau 在 2025-08-17 14:45:58 发布，悬赏 10 积分
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