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  Gate Current in p-GaN Gate HEMTs as a Channel Temperature Sensitive Parameter: A Comparative Study between Schottky- and Ohmic-Gate GaN HEMTs 相关领域
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期刊：Energies 作者：Alessandro Borghese; Alessandro Di Costanzo; Michele Riccio; Luca Maresca; Giovanni Breglio; et al 出版日期：2021-12-02 |
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