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标题
Gate Current in p-GaN Gate HEMTs as a Channel Temperature Sensitive Parameter: A Comparative Study between Schottky- and Ohmic-Gate GaN HEMTs
相关领域
欧姆接触 光电子学 材料科学 肖特基势垒 电流（流体） 肖特基二极管 氮化镓 逻辑门 和大门 电子工程 电气工程 工程类 纳米技术 图层（电子） 二极管
网址
https://www.mdpi.com/1996-1073/14/23/8055/pdf?version=163887...
AI链接 mdpi.com mdpi.com doaj.orgdoi.org
DOI
10.3390/en14238055 doi
其它 期刊：Energies
作者：Alessandro Borghese; Alessandro Di Costanzo; Michele Riccio; Luca Maresca; Giovanni Breglio; et al
出版日期：2021-12-02
求助人
莫石榴 在 2025-10-11 20:06:23 发布自湖北，悬赏 10 积分
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