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 Thermal Stability of HfO2|AlGaN|GaN Normally-Off Transistors with Ni|Au and Pt Gate Metals 相关领域
材料科学
跨导
光电子学
阈值电压
金属浇口
饱和电流
泄漏（经济）
晶体管
热稳定性
栅氧化层
工作职能
电压
图层（电子）
纳米技术
电气工程
化学
有机化学
经济
宏观经济学
工程类
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期刊：Semiconductors 作者：Yu‐Sheng Lin; Jing-Shiuan Niu; W.-C. Liu; Jung‐Hui Tsai 出版日期：2021-07-01 |
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